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Miwa Group, The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo

Instruments (研究設備)

Study room (学生居室): A330

Study room

研究室ゼミ・実験データ解析・議論・論文執筆等を行います。


Experimental room I (実験室 I): A052

Experimental
Thin-film deposition system I

Thin-film deposition system I : MBE

(薄膜作製装置1: MBE)

新物質・材料デバイスの要である多層膜の作製に用います。到達真空度は<2×10-8 Paであり、MBE(molecular beam epitaxy)装置と呼ばれています。

Custom-build MBE, Biemtron
6kW EB-gun Thermionics (6kW電子銃): crucible × 6
3kW EB-gun Thermionics (3kW電子銃): crucible × 4
Substrate heating > 900℃ (基板加熱)
RHEED (反射高速電子線回折)
Q-mass (四重極型質量分析計)
Turbomolecular pump (ターボ分子ポンプ)
Ion pump (イオンポンプ)
Cryo-pump (クライオポンプ)


Thin-film deposition system II

Thin-film deposition system II : MBE

(薄膜作製装置2: MBE)

有機分子及び低融点金属用のMBE装置です。

Custom-build MBE, Biemtron
3kW EB-gun Thermionics (3kW電子銃): crucible × 3
Resistance heating (抵抗加熱式): crucible × 6
Substrate cooling < -100℃ (基板冷却)
Turbomolecular pump (ターボ分子ポンプ)
Ion pump (イオンポンプ)


milling

Ar-ion milling system

(Arイオンミリング装置)

素子加工に用います。

Kaufman ion source, Commonwealth Scientific


transfer

Sample transfer system

(真空搬送装置)

MBE装置とイオンミリング装置、そして中辻研究室のスパッタ装置の間を真空一貫で基板搬送するのに用います。

Custom-build system, Biemtron


Thin-film deposition system III

Thin-film deposition system III: Sputter

(薄膜作製装置3: スパッタ)

デバイス作製に必要なSiO2絶縁膜の作製に用います。

Sputtering, Shinko Seiki


Vacuum annealing furnace

Vacuum annealing furnace with magnet

(磁場中真空アニール炉)

真空で磁場を印加しながら多層膜を焼鈍するのに用います。

Toei: >5 kOe, >400℃


Experimental room II (実験室 II): A041-042

Probe system I

RF probe system I

(高周波プローバー1)

デバイスの電気測定に用います。

Magnetic field: >150 mT, in-plane
Temperature: room-temperature


Probe system II

RF probe system II

(高周波プローバー2)

デバイスの電気測定に用います。

Magnetic field: >1500 mT, any direction
Temperature: room-temperature


Probe system III

Low temperature measurement system

(低温電気測定装置)

液体ヘリウムを用いたデバイスの低温電気測定に用います。

Magnetic field: >250 mT
Temperature: 4 K - 300 K


Measurements systms

Electrical measuremet systems

(電気測定機器)

プローバーと一緒に使用し、デバイスの電気測定に用います。

Microwave oscillator N5183B, Keysight
Lock-in amplifier SR830, SRS
Source measure unit B2901A, Keysight
Multimeter 34460A, Keysight
etc...


Laser

Femtosecond pulse laser system

(フェムト秒パルスレーザー装置)

超高速スピンダイナミクスの測定に用います。

Chameleon Ultra II, Coherent (140 fs, 3.5 W @ 800 nm)


Mask aligner

Photolithography system

(フォトリソグラフィー装置)

多層膜をデバイス化するための微細加工に用います。

Mask Aligner M-2L, Mikasa


Optical microscope

Optical microscope

(光学顕微鏡)

素子の観察に用います。1000倍まで拡大できます。

BX53M, Olympus


Spin coater

Spin coater

(スピンコーター)

レジストの塗布に用います。

MS-B100, Mikasa


Atomic force microscope

Surface characterizaton system: AFM

(表面観察装置)

多層膜の表面観察に用います。原子間力顕微鏡(atomic force microscope: AFM)と呼ばれています。

L-trace II, SII


Vibrating sample magnetometer

Magnetization measurment system: VSM

(磁化測定装置)

多層膜の磁化測定に用います。振動試料型磁力計と呼ばれています。

Vibrating sample magnetometer, Toei


Access (所在地)

A330, Miwa group, The Institute for Solid State Physics, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan

〒277-8581
千葉県柏市柏の葉5-1-5
東京大学 物性研究所 三輪研究室
 A330 (学生居室)
  TEL:04-7136-3301
 A329 (准教授室)
  TEL:04-7136-3300
 A320 (秘書室)
  TEL:04-7136-3334

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